전력반도체란 정보나 신호를 처리하고 저장하는 시스템 반도체나 메모리와 달리 전자기기에 입력되는 전력을 변환, 저장, 분배 및 제어하는 핵심부품을 이야기 합니다. 전력반도체는 컴퓨터, 가전, 자동차, 태양광, 스마트그리드등에 사용되는 인버터나 컨버터등에 주로 적용되며, 최근에는 모바일 기기의 증가와 전기자동차 보급과 맞물려 그 적용 영역이 확대되고 있습니다. 기존에는 실리콘 기반의 전력반도체 소자에서 전기적 특성이 뛰어난 SiC나 GaN 화합물 전력반도체가 점차 주목 받고 있습니다.
Silicon | SiC | GaN | |
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대형/저효율 | 소형/고효율 | 초소형/초고효율 | |
용량 | 1.0kW 컨버터 | 1kW 컨버터 | 1kW 컨버터 |
크기 | 12,800㎤ | 4,200㎤ | 1,400㎤ |
효율 | 92.5% | 95% | 98% (예상) |
GaN 웨이퍼 생산 | Epitaxy 공정 | 소자 공정 | 테스트 및 패키징 공정 | |
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주요장비 |
HVPE 장비 |
MOCVD 장비 |
Yellow Room (UV 차단) Contact Aligner (stepper) 유기용 wet Bench Lift-off 용 wet Bench Metal evaporator PECVD (Sin, SiO2) 화합물Dry etcher (ICP, RIE) SiN/SiO Dry Etcher (ICP, RIE) Step profiler 등 |
제조: - Dicing Machine
검사: - Probe Station
개발: - 개발용 Molding |
전력반도체 소자는 value chain에서 Wafer, Epitaxy, 소자 단계로 구분되며, BTOZ는 GaN 관련하여 Wafer에서 소자를 아우르는
전영역에서 설계 및 생산 기술을 가지고 있습니다.
HVPE 장비를 이용한 4” GaN 웨이퍼 양산
GaN-on-Si 소자를 위한 에피 서비스
GaN-on-SiC 소자를 위한 에피 서비스
GaN-on-GaN 소자용 에피
Edge-termination 기술을 이용한 항복 전압 향상
1.5KV급 수작형(GaN-on-GaN) PIN 소자 제작
GaN PIN 소자의 정특성/동특성 평가