Epitaxy Services
전력반도체 분야에서 고출력을 낼 수 있는 GaN on GaN Epi 성장, 분석 및 평가 서비스
기존의 GaN-on-Si 반도체는 Hetero-Epitaxy 채널 구조를 이용한 수평형 디바이스로, 높은 전압을 견디지 못한다는 한계점을 가지고 있었습니다. GaN-on-GaN은 그런 수평형 디바이스의 단점을 극복한 고내압 특성을 가지는 것은 물론, 고출력 고주파 및 고온, 극한 환경에서도 버틸 수 있어, 소재 및 소자 특성의 신뢰성이 필요한 레이더 및 이동통신 분야에서도 폭 넓게 응용됩니다. BTOZ는 이러한 수직형 GaN-on-GaN 전력반도체의 기반이 되는 고품질 Bulk GaN웨이퍼를 제작하고 Epitaxy 서비스를 제공합니다.
| GaN 수평형 소자 | GaN 수직형 소자 | |||
|---|---|---|---|---|
| 구조 |
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| 장점 |
High mobility 2DEG Si, SiC, Sapphire 등 다른 종류의 기판 사용 가능 대면적 웨이퍼(6” 이상) 사용으로 생산성 높음 |
높은 breakdown voltage (>1 KV) 높은 전류 밀도 가능 |
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| 주요시장 |
저전압 전력 소자 5G 통신용 소자 고출력 레이다용 소자 |
하이브리드 자동차/전기 자동차 고속 충전 시설 초대용량 전력 반도체 |
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| BTOZ |
SiC 웨이퍼에 epi 서비스 |
GaN 웨이퍼 생산 GaN 웨이퍼에 epi 서비스 전기차용 GaN 전력 소자 설계/생산 |
GaN Epi 소재 비교
| GaN-on-Sapphire | GaN-on-Silicon | GaN-on-SiC | |
|---|---|---|---|
| 적용분야 | 광소자(LED, Sensor) | 전력 반도체(FET, SBD) | RF 소자 (FET, HBT) |
| 특징 | 고휘도, 대구경, 저가격 | E-mode, RON 적음, 대구경 | 고주파, 고출력, 저잡음, 신뢰성 |
| 고품질 GaN | ○ | △ | △ |
| Semi-insulating GaN | X | ○ | ○ |
| 미세 Gate | X | 수㎛ | ≤ 0.5㎛ |
| Back side via hole | X | X | ○ |
GaN-on-SiC Epi 소재 특성
